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          • [行業(yè)新聞] IGBT的最大威脅碳化硅

            功率器件最終往往是拼工藝,IGBT散熱器的最大威脅碳化硅器件一直統(tǒng)治著高壓功率應用市場。近些年出現了一種新工藝碳化硅(SiC),碳化硅的絕緣破壞電場強度是傳統(tǒng)硅器件的9倍多,因此使用碳化硅工藝生產的功率器件導通電阻更低,芯片尺寸更小。此外相
            發(fā)布時間:2018-07-06   點擊次數:205

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